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RJK03E0DNS
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
20
Pulse Test
16
10000
3000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Preliminary
12
1000
Ciss
I D = 2 A, 5 A, 10 A
300
Coss
8
V GS = 4.5 V
100
Crss
4
0
10 V
2 A, 5 A, 10 A
30
10
V GS = 0
f = 1 MHz
–25
0
25
50
75
100 125 150
0
10
20
30
Case Temperature Tc (°C)
Dynamic Input Characteristics
Drain to Source Voltage V DS (V)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
50
40
30
I D = 30 A
V DS
V DD = 25 V
10 V
V GS
20
16
12
50
40
30
10 V
5V
Pulse Test
20
8
20
10
V DD = 25 V
4
10
V GS = 0, –5 V
10 V
0
0
10
20
30
40
0
50
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
20
16
12
8
4
0
Gate Charge Qg (nc)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
Source to Drain Voltage V SD (V)
25
50
75
100
125
150
Channel Temperature Tch (°C)
R07DS0656EJ0300 Rev.3.00
Feb 01, 2012
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